SiC-coated grafit wafer bærere

Ved fremstilling af halvlederwafer skal der dyrkes et eptaksialt lag på wafersubstratet, så halvlederenheder kan fremstilles i efterfølgende trin. Som den uundværlige forbrugsbestanddel i den waferepitaksiale proces, der direkte kommer i kontakt med wafersubstratet, udøver ydeevnen af ​​SiC-belagte grafitwaferbærere en betydelig indvirkning på ensartetheden og renheden af ​​den epitaksiale materialevækst. Af denne grund er det afgørende for brugerne at vælge en optimal SiC-belagt grafitwafer-bærer.

Vedtagelse af højrent grafit til fremstilling af bunden af ​​waferbærere og anvender en uniformCVD SiC belægningfor at give waferbæreren "beskyttende rustning" er Semicorex dedikeret til at tilbyde en højkvalitets SiC-belagt grafitwaferbærer, der er i stand til at give pålidelig strukturel støtte til wafersubstrater i udfordrende epitaksiale processer, og derved sikre stabil og pålidelig vækst af epitaksiale materialer.

1. Premium grafit base

A. Grafitbasen har overlegen varmeledningsevne, hvilket muliggør hurtig og jævn varmefordeling under epitaksiale processer.

B. Med en relativt lav termisk udvidelseskoefficient kan grafitbasen sikre voresSiC-belagte grafitwaferbæreremodstå hyppige termiske cyklusser uden let at deformeres.

C. Grafitmaterialer har fremragende mekanisk styrke, så vores SiC-belagte grafitwaferbærere er i stand til sikkert at understøtte wafersubstrater under langvarige epitaksiapplikationer.

2. Pålidelig CVD SiC-belægning

A. Ultrahøj renlighed

Renheden af ​​CVD SiC-belægning kan nå ppb-niveauet, hvilket minimerer forureningen mellem wafer-bæreren og wafer-substratet, og dermed fuldt ud opfylder de strenge renhedskrav i halvlederindustrien.

B. Pålidelig beskyttelse

CVD SiC-belægningen har en tæt struktur og er i stand til fuldstændigt at isolere grafitbasen fra høje temperaturer og højkorrosive miljøer og effektivt hæmme den kemiske korrosion og oxidation af grafitbasen, hvilket sikrer pålidelig drift af vores SiC-belagte grafitwafer-bærer i langsigtet brug.

C. Stærk bindingsstyrke

CVD SiC-belægningen leverer enestående termisk ledningsevne og en lignende termisk udvidelse til grafitbasen. Det udviser stærk bindingsstyrke med grafitbasen og er mindre tilbøjelig til at revne eller afskalle selv under dramatiske temperaturændringer.