C/C Composite Digel Støttestænger

C/C-komposit-digelstøttestænger er typisk placeret i det nedre område af højtemperatur-enkeltkrystalvækstovne, og danner et effektivt og stabilt termisk feltsystem til vækst af enkeltkrystal silicium med disse uundværlige komponenter, som f.eks.C/C digelholdere, C/CdiglerogC/C isoleringscylindre. De kan give stabil støtte til diglen og internt smeltet silicium og opnå præcis rotation og løft af diglen for at opfylde kravene til vækst af enkeltkrystal silicium.

1. Bemærkelsesværdig termisk ydeevne

Da kulstof-kulstof-komposit kan prale af enestående termisk modstand og termisk stabilitet, kan Semicorex C/C-komposit-digelstøttestænger fungere pålideligt ved temperaturer fra 1600 til 2200 ℃ og modstå hurtige temperaturændringer uden let at revne eller blive beskadiget.

2.Plidelig mekanisk styrke

Kulstof-kulstof-kompositter har høj mekanisk styrke og elasticitetsmodul, og deres styrke kan endda overstige den ved stuetemperatur under driftsforhold med høj temperatur. Det er netop på grund af denne pålidelige egenskab, at Semicorex C/C sammensatte digelstøttestænger kan modstå diglens vægt og den store mængde siliciummateriale indeni uden at være tilbøjelig til at gå i stykker.

3.Letvægtsstruktur

Kulstof-kulstof kompositterhar en lavere densitet end konventionelle grafitmaterialer, hvilket betyder, at de er væsentligt lettere end konventionelle grafitmaterialer. Den samlede vægt af Semicorex C/C-komposit-digelstøttestangen kan reduceres kraftigt takket være denne fremragende letvægtsstruktur, som bringer bekvemmelighed til udstyrshåndtering, udskiftning og vedligeholdelse.

4. Overlegen korrosionsbestandighed

Under væksten af ​​enkeltkrystal silicium kan siliciumdamp korrodere komponenter inde i enkeltkrystal siliciumvækstovnen. Kulstof-carbon-kompositter udviser fremragende modstandsdygtighed over for siliciumdampkorrosion, hvilket gør det muligt for Semicorex C/C-komposit-digelstøttestænger at opretholde stabil strukturel integritet og ensartet ydeevne under høje temperaturer og siliciumdampforhold.