Grafitpulver med høj renhed

Semicorex Høj renhedgrafitpulver er et kritisk materiale i halvlederindustrien. Med exceptionelle renhedsniveauer og overlegne fysiske og kemiske egenskaber er dette materiale uundværligt til applikationer, der kræver strenge ydeevnestandarder.

Nøglefunktioner

• Enestående renhed: Grafitpulver med høj renhed opnår typisk et kulstofindhold på over 99,9%, hvilket sikrer minimal forurening under krystalvækstprocessen. Dette renhedsniveau er afgørende for at opretholde integriteten og kvaliteten af ​​halvlederwafere.
• Fremragende termisk ledningsevne: Materialets overlegne termiske ledningsevne muliggør ensartet varmefordeling, afgørende for at opretholde kontrollerede vækstmiljøer for halvlederkrystaller.
• Højtemperaturmodstand: Grafitpulver med høj renhed kan modstå ekstreme temperaturer uden nedbrydning, hvilket gør det ideelt til højtemperaturovne, der bruges i halvlederfremstilling.
• Kemisk stabilitet: Dens modstandsdygtighed over for kemiske reaktioner sikrer holdbarhed og pålidelighed under langvarig udsættelse for barske forhold, herunder høje temperaturer og reaktive miljøer.
• Partikelstørrelse, der kan tilpasses: Tilgængelig i forskellige partikelstørrelser, kan pulveret skræddersyes til at opfylde de specifikke behov for forskellige halvlederkrystalvækstprocesser.

Anvendelser i halvlederkrystalvækst

1. SiC krystalvækst:

Grafitpulver med høj renhed anvendes i vid udstrækning i siliciumcarbid (SiC) krystalvækst, en proces, der er afgørende for fremstilling af avancerede halvlederenheder. Pulveret bruges til fremstilling af porøse grafitkomponenter, såsom digler og isoleringsmaterialer, der understøtter væksten af ​​højkvalitets SiC-krystaller. Dens høje renhed minimerer urenheder og forbedrer derved de elektriske og termiske egenskaber af de resulterende krystaller.

2. Fotovoltaisk siliciumkrystalvækst:

I den fotovoltaiske industri anvendes grafitpulver med høj renhed i produktionen af ​​komponenter til vækst af enkeltkrystal og polykrystallinsk silicium. Disse komponenter, såsom forme og varmelegemer, sikrer ensartet kvalitet og udbytte i fremstillingen af ​​siliciumwafers til solceller.

3. Epitaksial lagaflejring:

Materialet er også integreret i epitaksiprocesser, hvor der kræves præcise termiske og kemiske forhold for at dyrke lag af halvledermateriale. Grafitpulver med høj renhed bidrager til fremstillingen af ​​epitaksikomponenter, såsom susceptorer, som kræver enestående termisk og kemisk ydeevne.

4. Grafitbaseret termisk isolering:

I højtemperaturovne, der bruges til krystalvækst, bruges grafitpulver til at skabe isoleringsmaterialer, der opretholder stabile termiske miljøer. Dette øger proceseffektiviteten og sikrer ensartetheden af ​​dyrkede krystaller.

Semicorex's høje renhedgrafitpulver skiller sig ud på grund af dets enestående kvalitet og applikationsdrevne design. Vores stringente produktionsprocesser sikrer ensartethed, høj renhed og skræddersyede specifikationer for at opfylde de krævende krav fra halvlederindustrien.

Semicorex højrent grafitpulver er et hjørnestensmateriale i halvlederkrystalvækst, der tilbyder uovertruffen ydeevne i krævende applikationer. Dens exceptionelle termiske, kemiske og strukturelle egenskaber sikrer en vellykket produktion af avancerede halvlederenheder. Med sit engagement i innovation og kvalitet leverer Semicorex en pålidelig løsning til producenter, der sigter mod at opnå ekspertise inden for halvlederprocesser.