Hvad er SiC-epitaksi?

Siliciumcarbid (SiC) epitaksi er en nøgleteknologi inden for halvledere, især til udvikling af højeffekt elektroniske enheder. SiC er en sammensat halvleder med et bredt båndgab, hvilket gør den ideel til applikationer, der kræver højtemperatur- og højspændingsdrift.

SiC-epitaksi er en proces med at dyrke et tyndt lag af krystallinsk materiale på et substrat, typisk silicium, ved hjælp af kemisk dampaflejring (CVD) eller molekylær stråleepitaksi (MBE) teknikker. Det epitaksiale lag har samme krystalstruktur og orientering som substratet, hvilket muliggør dannelsen af ​​en højkvalitets grænseflade mellem de to materialer.

SiC-epitaksi er blevet brugt i vid udstrækning i udviklingen af ​​kraftelektronik, herunder kraftenheder såsom dioder, transistorer og tyristorer. Disse enheder bruges i en bred vifte af applikationer, såsom elektriske køretøjer, vedvarende energisystemer og strømforsyninger.

I de senere år har der været en stigende interesse for udviklingen af ​​SiC-epitaksi til fremstilling af højeffekt-enheder til applikationer såsom elektriske køretøjer og vedvarende energisystemer. Efterspørgslen efter disse enheder forventes at vokse hurtigt i de kommende år, drevet af behovet for mere effektive og bæredygtige energisystemer.

Som svar på denne efterspørgsel investerer forskere og virksomheder i udviklingen af ​​SiC-epitaksiteknologi med fokus på at forbedre kvaliteten og reducere omkostningerne ved processen. For eksempel udvikler nogle virksomheder SiC-epitaksi på større substrater for at reducere omkostningerne pr. wafer, mens andre udforsker nye teknikker til at reducere tætheden af ​​defekter.

SiC-epitaksi bliver også brugt i udviklingen af ​​avancerede sensorer til en række applikationer, herunder gasføling, temperaturføling og trykføling. SiC har unikke egenskaber, der gør den ideel til disse applikationer, såsom højtemperaturstabilitet og modstandsdygtighed over for barske miljøer.