Infineon afslører verdens første 300 mm Power GaN Wafer

For nylig annoncerede Infineon Technologies den succesrige udvikling af verdens første 300 mm kraft Gallium Nitride (GaN) waferteknologi. Dette gør dem til det første firma, der mestrer denne banebrydende teknologi og opnår masseproduktion inden for eksisterende storskala, højkapacitetsproduktionsmiljøer. Denne innovation markerer et betydeligt fremskridt på det GaN-baserede krafthalvledermarked.

Hvordan er 300 mm-teknologien sammenlignet med 200 mm-teknologien?

Sammenlignet med 200 mm-teknologi tillader brugen af ​​300 mm wafers produktion af 2,3 gange flere GaN-chips pr. wafer, hvilket væsentligt forbedrer produktionseffektiviteten og outputtet. Dette gennembrud konsoliderer ikke kun Infineons lederskab inden for kraftsystemer, men accelererer også den hurtige udvikling af GaN-teknologi.

Hvad sagde Infineons administrerende direktør om denne præstation?

Infineon Technologies CEO Jochen Hanebeck udtalte: "Denne bemærkelsesværdige præstation demonstrerer vores robuste styrke inden for innovation og er et vidnesbyrd om den ubarmhjertige indsats fra vores globale team. Vi er overbevist om, at dette teknologiske gennembrud vil omforme industrinormer og frigøre GaN-teknologiens fulde potentiale. Næsten et år efter vores opkøb af GaN Systems viser vi igen vores vilje til at føre an på det hastigt voksende GaN-marked. Som førende inden for strømsystemer har Infineon opnået en konkurrencefordel inden for tre nøglematerialer: silicium, siliciumcarbid og GaN."

Infineon CEO Jochen Hanebeck har en af ​​verdens første 300 mm GaN Power wafere produceret i et eksisterende og skalerbart højvolumen produktionsmiljø

Hvorfor er 300 mm GaN-teknologien fordelagtig?

En væsentlig fordel ved 300 mm GaN-teknologien er, at den kan fremstilles ved hjælp af eksisterende 300 mm siliciumfremstillingsudstyr, da GaN og silicium deler ligheder i fremstillingsprocesser. Denne funktion giver Infineon mulighed for problemfrit at integrere GaN-teknologi i sine nuværende produktionssystemer og derved accelerere teknologiens indførelse og anvendelse.

Hvor har Infineon produceret 300 mm GaN wafers med succes?

I øjeblikket har Infineon med succes fremstillet 300 mm GaN wafers på de eksisterende 300 mm silicium produktionslinjer på sit kraftværk i Villach, Østrig. Med udgangspunkt i det etablerede fundament af 200 mm GaN-teknologi og 300 mm siliciumproduktion har virksomheden udvidet sine teknologiske og produktionsmæssige muligheder yderligere.

Hvad betyder dette gennembrud for fremtiden?

Dette gennembrud fremhæver ikke kun Infineons styrker inden for innovation og storskala produktionskapacitet, men lægger også et solidt fundament for den fremtidige udvikling af krafthalvlederindustrien. Efterhånden som GaN-teknologien fortsætter med at udvikle sig, vil Infineon fortsætte med at drive markedsvækst og yderligere styrke sin førende position i den globale halvlederindustri.**