- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheder
En kort historie om siliciumcarbid og anvendelser af siliciumcarbidbelægninger
Historien om siliciumcarbid (SiC) går tilbage til 1891, da Edward Goodrich Acheson ved et uheld opdagede det, mens han forsøgte at syntetisere kunstige diamanter. Acheson opvarmede en blanding af ler (aluminosilikat) og pulveriseret koks (kulstof) i en elektrisk ovn. I stedet for de forventede diama......
Læs mere
Vanskeligheder ved GaN forberedelse
Som et tredje generations halvledermateriale sammenlignes galliumnitrid ofte med siliciumcarbid. Galliumnitrid viser stadig sin overlegenhed med dets store båndgab, høje gennembrudsspænding, høje termiske ledningsevne, høje mættede elektrondriftshastighed og stærke strålingsmodstand. Men det er ubes......
Læs mere
Introduktion til tredjegenerationshalvledere: GaN og relaterede epitaksiale teknologier
GaN-materialer vandt frem efter tildelingen af 2014 Nobelprisen i fysik for blå lysdioder. GaN-baserede effektforstærkere og RF-enheder, der oprindeligt trådte ind i offentligheden gennem hurtigopladningsapplikationer i forbrugerelektronik, er også stille og roligt dukket op som kritiske komponent......
Læs mere
Substrat vs. Epitaksi: Nøgleroller i halvlederfremstilling
Inden for halvlederteknologi og mikroelektronik har begreberne substrater og epitaksi stor betydning. De spiller en afgørende rolle i fremstillingsprocessen af halvlederenheder. Denne artikel vil dykke ned i forskellene mellem halvledersubstrater og epitaksi, og dækker deres definitioner, funktion......
Læs mere
Nøgleparametre for siliciumcarbid (SiC) substrater
Siliciumcarbid-produktionsprocessen (SiC) omfatter forberedelse af substrat og epitaksi fra materialesiden, efterfulgt af chipdesign og -fremstilling, enhedspakning og endelig distribution til downstream-applikationsmarkeder. Blandt disse stadier er substratmaterialebehandling det mest udfordrende a......
Læs mere
