SiC-belagte grafitdigler

Installeret i midten af ​​højtemperatur krystalvækstovne,SiC-belagtgrafitdigler fungerer sammen med varmelegemer, termiske isoleringsmuffer, flowstyrerør og digelskafter for at danne det komplette termiske feltsystem. Dette termiske feltsystem kan opretholde et stabilt højtemperaturmiljø, der er afgørende for krystalvækst.

Fremstilling af SiC-belagtgrafitdiglerbegynder normalt med brugen af ​​den avancerede kemiske dampaflejringsteknologi til ensartet aflejring af en tæthedsiliciumcarbidbelægning på overfladen af ​​det dannede grafitsubstrat. Sammensat af høj renhedgrafitsubstrat og den tætte siliciumcarbidbelægning, SiC-belagt grafitdigel danner en synergistisk struktur, der kombinerer grafittens termiske ledningsevne med siliciumcarbids korrosionsbestandighed.

Czochralski-metoden er den universelle industrielle teknik til krystalvækst. Denne teknik vil udøve centrifugalkraften på diglen under krystalproduktionen. Den overlegne bøjningsstyrke og sejhed af SiC-belagte grafitdigler kan forhindre brud eller revner under højhastighedsrotation, hvilket effektivt reducerer produktionsafbrydelser forårsaget af digelskade. Derudover skal digler undergå drastiske temperaturudsving inden for en kort periode under denne proces. Takket være deres bemærkelsesværdige termiske stødmodstand kan SiC-belagte grafitdigler reducere strukturelle skader relateret til termisk stress, sikre stabiliteten af ​​deres form og derved sænke krystalvækstdefekter forårsaget af digeldeformation.

Under høje temperaturer vil SiC-belagte grafitdigler danne et tæt beskyttende lag af siliciumcarbid. Dette beskyttende lag kan isolere grafitsubstratet fra siliciumdamp og smeltet silicium og derved minimere grafitsubstratets korrosion og krystalforureningsrisici forbundet med belægningsafskalning. Derfor kan Semicorex's SiC-belagte grafitdigler modstå forskellige komplekse højtemperaturkorrosionsmiljøer i længere perioder i faktisk drift. Dette sikrer ensartet krystalsammensætning og reducerer defektrater, som begge er essentielle for produktionen af ​​højkvalitets halvlederkrystaller.