Solid siliciumcarbid fokuseringsring

Semicorex Solid Silicium Carbide Focusing Ring er en central komponent i halvlederfremstilling, strategisk placeret uden for waferen for at opretholde direkte kontakt. Ved at bruge en påført spænding fokuserer denne ring plasmaet, der krydser den, og forbedrer derved procesensartetheden på waferen. Konstrueret udelukkende af Chemical Vapour Deposition Silicon Carbide (CVD SiC), denne fokusring legemliggør de exceptionelle kvaliteter, som kræves af halvlederindustrien. Vi hos Semicorex er dedikerede til at fremstille og levere højtydende Solid Silicium Carbide Focusing Ring, der forener kvalitet med omkostningseffektivitet.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

I halvlederfremstilling tjener Semicorex Solid Silicon Carbide Focusing Ring en afgørende rolle ved at fungere som et skjold, der bevarer waferens integritet under ætseprocessen. Dets omhyggeligt konstruerede design sikrer præcis og ensartet ætsning og letter produktionen af meget indviklede halvlederelementer, der udviser overlegen ydeevne og pålidelighed.

Siliciumcarbid er det valgte materiale til fokusringen på grund af dets overlegne modstandsdygtighed over for plasmakorrosion, når det udsættes for plasma i vakuumreaktionskammeret. Solid Silicium Carbide Focusing Ring overgår traditionel silicium i flere aspekter, herunder:

(1) Høj densitet, der minimerer ætsningshastigheder.

(2) Overlegen båndgab og fremragende isoleringsegenskaber.

(3) Enestående termisk ledningsevne, lav termisk udvidelseskoefficient og termisk stødmodstand.

(4) Høj elasticitet kombineret med fremragende modstandsdygtighed over for mekaniske stød.

(5) Enestående hårdhed, slidstyrke og korrosionsbestandighed.

Siliciumcarbids ledningsevne og modstandsdygtighed over for ionætsning er beslægtet med silicium, hvilket gør Solid Silicon Carbide Focusing Ring til et ideelt materiale til denne applikation.

Semicorex Solid Silicium Carbide Focusing Ring står som en state-of-the-art løsning inden for halvlederfremstilling. Det udnytter de unikke egenskaber ved CVD SiC til at lette pålidelige, højtydende ætsningsprocesser, hvilket i væsentlig grad bidrager til fremskridt inden for halvlederteknologi.