2" galliumoxidsubstrater

Semicorex 2" galliumoxidsubstrater repræsenterer et nyt kapitel i historien om fjerde generations halvledere, med et accelererende tempo i masseproduktion og kommercialisering. Disse substrater udviser exceptionelle fordele for forskellige avancerede teknologiske anvendelser. Galliumoxidsubstrater symboliserer ikke kun et betydeligt fremskridt inden for halvlederteknologi, men åbner også op for nye muligheder for at forbedre enhedens effektivitet og ydeevne på tværs af et spektrum af industrier med høj indsats. Vi hos Semicorex er dedikerede til at fremstille og levere højtydende 2" galliumoxidsubstrater, der forener kvalitet med omkostningseffektivitet.**

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Ultraviolet lysdetektion og strømudstyr: Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates' brede båndgab på ca. 4,8-4,9 eV giver dem mulighed for at udmærke sig i applikationer såsom ultraviolet lysdetektorer og strømudstyr, hvor det udviser overlegen ydeevne til at håndtere højspændings- og strømforhold effektivt. .

Højtemperaturoperationer: 2" galliumoxidsubstraternes fremragende højtemperaturstabilitet gør det muligt for dem at fungere i miljøer op til 1200 grader Celsius. Denne funktion gør den særdeles velegnet til højtemperatur-, højeffekt- og højfrekvente applikationer , der overgår mange andre halvledermaterialer.

Højt nedbrydningsfelt: Den høje nedbrydningsfeltstyrke af 2" galliumoxidsubstraterne gør dem til en fremragende kandidat til højspændingsapplikationer, hvilket væsentligt forbedrer pålideligheden og levetiden af enheder såsom strømkonvertere og invertere.

Kemisk modstand: Den høje kemiske stabilitet af 2" galliumoxidsubstrater under standard temperatur- og trykforhold sikrer modstand mod mange syrer og baser, hvilket øger holdbarheden og levetiden i barske kemiske miljøer.

Den unikke kombination af disse egenskaber placerer Semicorex 2" Gallium Oxide Substrates som et alsidigt materiale inden for kraftelektronik, optoelektronik, fotokatalyse og gassensing. Dets omfattende anvendelsespotentiale skyldes dets evne til at yde pålideligt under udfordrende forhold, hvilket presser grænser for nuværende halvlederkapaciteter.