Ga2O3 Epitaksi

Træd ind i en ny æra af semiconductor excellence med Semicorex Ga2O3 Epitaxy, en banebrydende løsning, der omdefinerer grænserne for kraft og effektivitet. Udviklet med præcision og innovation, Ga2O3 epitaxy tilbyder en platform for næste generations enheder, der lover uovertruffen ydeevne på tværs af forskellige applikationer.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Ga2O3-epitaksi, afledt af fjerde generations bredbånds-halvleder, introducerer et nyt niveau af ydeevnestabilitet og pålidelighed i ekstreme miljøer. Dens brede båndgab-karakter positionerer den som et valgfrit materiale til applikationer med høj temperatur og høj stråling.

High-Breakdown Field Strength: Drag fordel af Ga2O3's exceptionelle nedbrydningsfeltstyrke og forhøjede Baliga-værdier, hvilket gør det til et uovertruffent materiale til højspændings- og højeffektapplikationer. Ga2O3-epitaksi sikrer øget pålidelighed og minimalt strømtab.

Ga2O3-epitaksi skiller sig ud med sin overlegne strømeffektivitet. Den kan prale af Baliga-værdier, der er fire gange højere end GaN og ti gange større end SiC, og den har fremragende ledningsegenskaber. Ga2O3-epitaksienheder udviser strømtab kun på 1/7 af SiC og en imponerende 1/49 af siliciumbaserede enheder.

Ga2O3-epitaksens lavere hårdhed forenkler fremstillingsprocessen, hvilket resulterer i reducerede forarbejdningsomkostninger. Denne fordel placerer Ga2O3-epitaxi som en omkostningseffektiv og skalerbar løsning til en række applikationer.