6'' Wafer Carrier til Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier til Aixtron G5, ofte omtalt som susceptorer, spiller en vigtig rolle ved sikkert at holde halvlederwaferne under højtemperaturbehandling. Susceptorerne sikrer, at waferne forbliver i en fast position, hvilket er afgørende for ensartet lagaflejring:

Termisk styring:

6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 er designet til at give ensartet opvarmning og afkøling på tværs af waferoverfladen, hvilket er afgørende for de epitaksiale vækstprocesser, der bruges til at skabe højkvalitets halvlederlag.

Epitaksial vækst:

SiC og GaN lag:

Aixtron G5-platformen bruges primært til epitaksial vækst af SiC- og GaN-lag. Disse lag er grundlæggende i fremstillingen af ​​transistorer med høj elektronmobilitet (HEMT'er), LED'er og andre avancerede halvlederenheder.

Præcision og ensartethed:

Den høje præcision og ensartethed, der kræves i den epitaksiale vækstproces, er lettet af de exceptionelle egenskaber af 6'' Wafer Carrier til Aixtron G5. Bæreren hjælper med at opnå den stringente tykkelse og sammensætningsensartethed, der er nødvendig for højtydende halvlederenheder.

Fordele:

Høj temperatur stabilitet:

Ekstrem temperaturtolerance:

6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 kan tåle ekstremt høje temperaturer, ofte over 1600°C. Denne stabilitet er afgørende for epitaksiale processer, der kræver vedvarende høje temperaturer i længere perioder.

Termisk integritet:

Evnen af ​​6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 til at opretholde strukturel integritet ved så høje temperaturer sikrer ensartet ydeevne og reducerer risikoen for termisk nedbrydning, hvilket kan kompromittere kvaliteten af ​​halvlederlagene.

Fremragende termisk ledningsevne:

Varmefordeling:

Den høje termiske ledningsevne af SiC letter effektiv varmeoverførsel hen over waferoverfladen, hvilket sikrer en ensartet temperaturprofil. Denne ensartethed er afgørende for at undgå termiske gradienter, der kan føre til defekter og uensartetheder i de epitaksiale lag.

Forbedret proceskontrol:

Forbedret termisk styring giver mulighed for bedre kontrol over den epitaksiale vækstproces, hvilket muliggør produktion af halvlederlag af højere kvalitet med færre defekter.

Kemisk modstand:

Korrosiv miljøkompatibilitet:

6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 giver enestående modstandsdygtighed over for de korrosive gasser, der almindeligvis anvendes i CVD-processer, såsom brint og ammoniak. Denne modstand forlænger waferbærernes levetid ved at beskytte grafitsubstratet mod kemiske angreb.

Reducerede vedligeholdelsesomkostninger:

Holdbarheden af ​​6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 reducerer hyppigheden af ​​vedligeholdelse og udskiftninger, hvilket fører til lavere driftsomkostninger og øget oppetid for Aixtron G5-udstyret.

Lav termisk udvidelseskoefficient (CTE):

Minimeret termisk stress:

SiCs lave CTE hjælper med at minimere termisk stress under de hurtige opvarmnings- og afkølingscyklusser, der er iboende i epitaksiale vækstprocesser. Denne reduktion i termisk stress mindsker sandsynligheden for, at wafer revner eller vrider sig, hvilket kan føre til enhedsfejl.

Kompatibilitet med Aixtron G5-udstyr:

Skræddersyet design:

Semicorex 6'' Wafer Carrier til Aixtron G5 er specielt konstrueret til at være kompatibel med Aixtron G5-udstyr, hvilket sikrer optimal ydeevne og sømløs integration.

Maksimeret ydeevne:

Denne kompatibilitet maksimerer ydeevnen og effektiviteten af ​​Aixtron G5-systemet, hvilket gør det muligt at opfylde de krævende krav til moderne halvlederfremstillingsprocesser.