CVD TaC belægningsdæksel

Semicorex CVD TaC Coating Cover kan prale af en imponerende hårdhed, der typisk når 2500-3000 HV på Vickers skala. Denne enestående hårdhed stammer fra de utroligt stærke kovalente bindinger mellem tantal og kulstofatomer, der danner en tæt, uigennemtrængelig barriere mod slibende slid og mekanisk deformation. Rent praktisk oversættes dette til værktøjer og komponenter, der forbliver skarpere længere, bevarer CVD TaC Coating Covers dimensionelle nøjagtighed og leverer ensartet ydeevne gennem hele levetiden.

Grafit rummer med sin unikke kombination af egenskaber et enormt potentiale til en bred vifte af anvendelser. Imidlertid begrænser dens iboende svaghed ofte dens brug. CVD TaC-belægninger ændrer spillet og danner en utrolig stærk binding med grafitsubstrater, hvilket skaber et synergistisk materiale, der kombinerer det bedste fra begge verdener: den høje termiske og elektriske ledningsevne af grafit med den exceptionelle hårdhed, slidstyrke og kemiske inertitet af CVD. TaC Coating Cover.

Hurtige temperaturudsving i epitaksereaktorer kan skabe kaos på materialer og forårsage revner, vridninger og katastrofale fejl. CVD TaC Coating Cover har dog en bemærkelsesværdig termisk stødmodstand, der er i stand til at modstå hurtige opvarmnings- og afkølingscyklusser uden at gå på kompromis med deres strukturelle integritet. Denne modstandsdygtighed stammer fra CVD TaC Coating Covers unikke mikrostruktur, som muliggør hurtig udvidelse og sammentrækning uden at generere væsentlige indre spændinger.

Fra ætsende syrer til aggressive opløsningsmidler kan den kemiske slagmark være nådesløs. CVD TaC Coating Coveret står dog fast og udviser bemærkelsesværdig modstandsdygtighed over for en lang række kemikalier og ætsende midler. Denne kemiske inertitet gør det til et ideelt valg til applikationer inden for kemisk behandling, olie- og gasefterforskning og andre industrier, hvor komponenter rutinemæssigt udsættes for barske kemiske miljøer.

Tantalcarbid (TaC) Belægning på et mikroskopisk tværsnit

Andre nøgleapplikationer i epitaksiudstyr:

Susceptorer og waferbærere:Disse komponenter holder og opvarmer substratet under epitaksial vækst. CVD TaC-belægninger på susceptorer og waferbærere giver ensartet varmefordeling, forhindrer substratforurening og øger modstanden mod vridning og nedbrydning forårsaget af høje temperaturer og reaktive gasser.

Gasinjektorer og dyser:Disse komponenter er ansvarlige for at levere præcise strømme af reaktive gasser til substratoverfladen. CVD TaC-belægninger øger deres modstand mod korrosion og erosion, sikrer ensartet gaslevering og forhindrer partikelforurening, der kan forstyrre krystalvækst.

Kammerforinger og varmeskjolde:De indre vægge af epitaksereaktorer udsættes for intens varme, reaktive gasser og potentiel aflejringsopbygning. CVD TaC-belægninger beskytter disse overflader, forlænger deres levetid, minimerer partikeldannelse og forenkler rengøringsprocedurer.