Epi-SiC-receptor

Semicorex Epi-SiC Susceptor er et sammenløb af udholdenhed ved høje temperaturer, kemisk inertitet og overlegen termisk diffusion, den står som et paragon for modstandskraft og effektivitet i forhold til de intensive forhold, der er synonymt med epitaksielle vækstbestræbelser. Anvendelsen af ​​en SiC-belægning øger de termiske egenskaber af Epi-SiC-susceptoren betydeligt. Denne forbedring letter den ensartede termiske fordeling, der er afgørende for wafernes opvarmning, som er afgørende for afsætningen af ​​ensartede epitaksiale lag af høj kvalitet på tværs af halvlederwafere.

Epi-SiC Susceptoren er skræddersyet til at imødekomme de krævende krav fra waferepitaksiale processer og understøtter den sømløse transport af wafers i ovnmiljøet. Dets robuste design er et bolværk mod waferforskydning eller kompromis, og mindsker derved forekomsten af ​​skader gennem de kritiske stadier af epitaksiallagsudvikling. Derudover fungerer Epi-SiC Susceptoren som en beskyttende barriere for grafitsubstratet nedenunder, og beskytter det mod de kemiske interaktioner og slid, som epitaksiale processer kan inducere.

Sammensmeltningen af ​​en elastisk grafitkerne med en beskyttende SiC-belægning styrker ikke kun Epi-SiC Susceptors ydeevnemålinger, men forlænger også dens levetid betydeligt. Resultatet er en investering, der giver udbytte i form af vedvarende driftsbesparelser for halvlederproduktionsvirksomheder, hvilket placerer Epi-SiC Susceptoren som et fornuftigt valg for dem, der ønsker at optimere deres produktionsoperationer.