ICP Silicium Carbon Coated Grafit

Waferbærere, der bruges til epitaksial vækstbearbejdning, skal tåle høje temperaturer og hård kemisk rensning. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite susceptorer er konstrueret specifikt til disse krævende epitaksiudstyrsapplikationer. Vores produkt er konstrueret til at modstå høje temperaturer og hård kemisk rengøring, hvilket sikrer lang levetid og optimale resultater.
Vores ICP Silicon Carbon Coated Graphite er designet til at opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster, hvilket sikrer ensartet termisk profil. Dette hjælper med at forhindre enhver forurening eller diffusion af urenheder, hvilket sikrer epitaksial vækst af høj kvalitet på wafer-chippen.
Kontakt os i dag for at lære mere om vores ICP Silicon Carbon Coated Graphite.

Parametre for ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Funktioner af ICP Silicon Carbon Coated Graphite

- Undgå at skalle af og sørg for belægning på alle overflader

Højtemperaturoxidationsbestandighed: Stabil ved høje temperaturer op til 1600°C

Høj renhed: Fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.

Korrosionsbestandighed: høj hårdhed, tæt overflade og fine partikler.

Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.

- Opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster

- Garanterer ensartethed af termisk profil

- Undgå enhver forurening eller diffusion af urenheder