Nyheder

Hvad er P-type SiC wafer?

En P-type siliciumcarbid (SiC) wafer er et halvledersubstrat, der er doteret med urenheder for at skabe en P-type (positiv) ledningsevne. Siliciumcarbid er et halvledermateriale med bred båndgab, der tilbyder exceptionelle elektriske og termiske egenskaber, hvilket gør det velegnet til elektroniske ......

Hvorfor vælge SiC-belagte grafitsusceptorer?

Grafitsusceptor er en af ​​de væsentlige dele i MOCVD-udstyret, er bæreren og varmelegemet til wafersubstratet. Dens egenskaber af termisk stabilitet og termisk ensartethed spiller en afgørende rolle i kvaliteten af ​​wafer epitaksial vækst, som direkte bestemmer ensartetheden og renheden af ​​lagma......

Hvad er processen med SiC epitaksial?

På højspændingsområdet, især for højspændingsenheder over 20.000V, står SiC-epitaksialteknologien stadig over for adskillige udfordringer. En af de største vanskeligheder er at opnå høj ensartethed, tykkelse og dopingkoncentration i det epitaksiale lag. Til fremstilling af sådanne højspændingsanordn......

Betydelig vækst på markedet for SiC-belagt grafitsusceptor

MOCVD er nøgleudstyret

Midler til Semiconductor-projekter

Hvert land er klar over vigtigheden af ​​chips og accelererer nu opbygningen af ​​sit eget chipfremstillingsforsyningskædeøkosystem for at forhindre endnu et chipmangelproblem. Men de avancerede støberier uden næste generations chipdesignere ville være det samme som âFabs uden Chipsâ.