- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Nyheder
Hvad er udfordringerne ved fremstilling af siliciumcarbidsubstrat?
Siliciumcarbid (SiC) er et materiale, der har høj bindingsenergi, svarende til andre hårde materialer som diamant og kubisk bornitrid. Den høje bindingsenergi af SiC gør det imidlertid vanskeligt at krystallisere direkte til barrer via traditionelle smeltningsmetoder. Derfor involverer processen med......
Læs mere
Siliciumcarbid industrien
Siliciumcarbidindustrien involverer en kæde af processer, der inkluderer substratskabelse, epitaksial vækst, enhedsdesign, enhedsfremstilling, emballering og test. Generelt skabes siliciumcarbid som ingots, som derefter skæres, males og poleres for at producere et siliciumcarbidsubstrat.
Læs mere
Hvad er siliciumcarbid (SiC)?
Halvledermaterialer kan opdeles i tre generationer i henhold til tidssekvensen. Den første generation af germanium, silicium og andre almindelige monomaterialer, som er kendetegnet ved bekvem omskiftning, generelt brugt i integrerede kredsløb. Anden generation af galliumarsenid, indiumphosphid og an......
Læs mere
Kan du slibe siliciumcarbid?
Siliciumcarbid (SiC) har vigtige anvendelser inden for områder som kraftelektronik, højfrekvente RF-enheder og sensorer til højtemperaturbestandige miljøer på grund af dets fremragende fysisk-kemiske egenskaber. Udskæringsoperationen under SiC-waferbehandling introducerer imidlertid skader på overfl......
Læs mere
GaN vs SiC
Der er flere materialer i øjeblikket under undersøgelse, blandt hvilke siliciumcarbid skiller sig ud som et af de mest lovende. I lighed med GaN kan den prale af højere driftsspændinger, højere gennembrudsspændinger og overlegen ledningsevne sammenlignet med silicium. Takket være sin høje varmeledni......
Læs mere
Fordele og ulemper ved Gallium Nitride (GaN) applikationer
Mens verden leder efter nye muligheder inden for halvledere, fortsætter galliumnitrid med at skille sig ud som en potentiel kandidat til fremtidige strøm- og RF-applikationer. Men på trods af alle de fordele, det tilbyder, står det stadig over for en stor udfordring; der er ingen P-type (P-type) pro......
Læs mere
