Kina Porøs grafit producenter, leverandører, fabrik

De fleste SiC-substratproducenter bruger i dag et digeldesign, der involverer en porøs grafitcylinder til varmfeltprocessen. Processen involverer at placere højrente SiC-partikler mellem grafitdigelens væg og den porøse grafitcylinder, mens diglen uddybes og dens diameter øges. Dette øger råmaterialets fordampningsareal, samtidig med at ladningsvolumenet øges.

Den nye proces løser problemet med krystalfejl, der opstår på grund af omkrystalliseringen af ​​den øverste del af råmaterialet, når kildematerialets overflade vokser, hvilket påvirker fluxen af ​​det sublimerede materiale. Desuden reducerer den nye proces følsomheden af ​​temperaturfordelingen af ​​råvareområdet over for krystalvækst, stabiliserer masseoverførselseffektiviteten, reducerer indflydelsen af ​​kulstofindeslutninger i det sene vækststadium og forbedrer kvaliteten af ​​SiC-krystaller yderligere. Derudover anvender den nye proces en frøfri krystalbakkefikseringsmetode, der ikke klæber til frøkrystallerne, hvilket frigør termisk ekspansion og letter stressaflastning. Denne nye proces optimerer det termiske felt og forbedrer i høj grad effektiviteten af ​​ekspansionen.

Det er vigtigt at bemærke, at kvaliteten og udbyttet af SiC-enkeltkrystaller opnået ved denne nye proces i høj grad afhænger af de fysiske egenskaber af digelgrafitten og porøs grafit. Udbuddet på markedet er dog i øjeblikket meget kort i forhold til den voksende efterspørgsel.

Nøgleegenskaber ved porøs grafit:

Egnet porestørrelsesfordeling;

Tilstrækkelig høj porøsitet;

Mekanisk for at imødekomme krav til behandling og brug.

Semicorex tilbyder skræddersyede porøse grafitprodukter af høj kvalitet efter dine krav.