PSS Etching Carrier Bakke til LED

Hos Semicorex har vi designet PSS Etching Carrier Tray til LED specifikt til de barske miljøer, der kræves til epitaksial vækst og waferhåndteringsprocesser. Vores ultra-rene grafitbærer er ideel til tyndfilmaflejringsfaser som MOCVD, epitaksi-susceptorer, pandekage- eller satellitplatforme og waferhåndteringsbehandling såsom ætsning. Den SiC-belagte bærer har høj varme- og korrosionsbestandighed, fremragende varmefordelingsegenskaber og en høj varmeledningsevne. Vores PSS Etching Carrier Tray til LED er omkostningseffektiv og giver en god prisfordel. Vi henvender os til mange europæiske og amerikanske markeder og ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Semicorex's PSS Etching Carrier Tray til LED er konstrueret til barske miljøer, der kræves til epitaksial vækst og waferhåndteringsprocesser. Vores ultra-rene grafitbærer er designet til at understøtte wafers under tyndfilmsdeponeringsfaser som MOCVD og epitaksi-susceptorer, pandekage- eller satellitplatforme. Den SiC-belagte bærer har høj varme- og korrosionsbestandighed, fremragende varmefordelingsegenskaber og en høj varmeledningsevne. Vores produkter er omkostningseffektive og har en god prisfordel. Vi henvender os til mange europæiske og amerikanske markeder og ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina.

Kontakt os i dag for at lære mere om vores PSS Etching Carrier Tray til LED.

Parametre for PSS Etching Carrier Tray til LED

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300