SiC belagt MOCVD Susceptor

Semicorex er en førende producent og leverandør af SiC Coated MOCVD Susceptor. Vores produkt er specielt designet til halvlederindustrier for at dyrke det epitaksiale lag på wafer-chippen. Den højrent siliciumcarbidbelagte grafitbærer bruges som midterplade i MOCVD, med et tandhjuls- eller ringformet design. Vores susceptor er meget udbredt i MOCVD-udstyr, hvilket sikrer høj varme- og korrosionsbestandighed og stor stabilitet i ekstreme miljøer.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

En af de vigtigste egenskaber ved vores SiC Coated MOCVD Susceptor er, at den sikrer belægning på alle overflader og undgår afskalning. Produktet har høj temperatur oxidationsbestandighed, som er stabil ved høje temperaturer op til 1600°C. Den høje renhed opnås ved at bruge CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser. Produktet har en tæt overflade med fine partikler, hvilket gør det meget modstandsdygtigt over for korrosion fra syre, alkali, salt og organiske reagenser.
Vores SiC Coated MOCVD Susceptor sikrer det bedste laminære gasstrømningsmønster, hvilket garanterer ensartet termisk profil. Dette hjælper med at forhindre enhver forurening eller diffusion af urenheder, hvilket sikrer epitaksial vækst af høj kvalitet på wafer-chippen. Semicorex tilbyder en konkurrencedygtig prisfordel og dækker mange af de europæiske og amerikanske markeder. Vores team er dedikeret til at yde fremragende kundeservice og support. Vi er forpligtet til at blive din langsigtede partner og levere pålidelige produkter af høj kvalitet for at hjælpe din virksomhed med at vokse.

Parametre for SiC Coated MOCVD Susceptor

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funktioner af SiC Coated MOCVD Susceptor

- Undgå at skalle af og sørg for belægning på alle overflader
Højtemperaturoxidationsbestandighed: Stabil ved høje temperaturer op til 1600°C
Høj renhed: Fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.
Korrosionsbestandighed: høj hårdhed, tæt overflade og fine partikler.
Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster
- Garanterer ensartethed af termisk profil
- Undgå enhver forurening eller diffusion af urenheder