SiC-belagt støttering

Semicorex SiC Coated Support Ring spiller en afgørende rolle i at sikre præcisionen og kvaliteten af ​​epitaksiale lag aflejret på halvlederwafers.

Den SiC-belagte støttering giver et robust beskyttende lag, der modstår de ekstreme temperaturer og korrosive miljøer, der er typiske i epitaksiale vækstreaktorer. SiC's overlegne termiske egenskaber sikrer ensartet temperaturfordeling over waferoverfladen, hvilket minimerer termiske gradienter og spændinger. Denne stabilitet er afgørende for at opnå epitaksiale lag af høj kvalitet med minimale defekter.

Den SiC-belagte støttering modstår kemiske angreb fra reaktive gasser, der anvendes i den epitaksiale proces, hvilket forlænger støtteringens driftslevetid og bevarer processens integritet. Denne modstand reducerer forureningsrisici, hvilket bidrager til højere renhed og bedre ydeevne af halvlederenhederne.

SiC Coated Support Ring opretholder præcis waferpositionering, afgørende for ensartet lagaflejring. Den SiC-belagte støttering's strukturelle integritet under høje temperaturforhold sikrer ensartet ydeevne over flere behandlingscyklusser.

Semicorex SiC Coated Support Ring er en central komponent i fremme af halvlederteknologi, der sikrer produktion af højkvalitetsenheder med optimal ydeevne og pålidelighed.