SiC Wafer Bakke

Semicorex SiC Wafer Tray, der fungerer som et nøgleelement i MOCVD-apparater, holder og termisk administrerer enkeltkrystalsubstrater. Dens enestående ydeevneegenskaber, herunder overlegen termisk stabilitet og ensartethed samt korrosionshæmning og så videre, er afgørende for væksten af ​​epitaksiale materialer af høj kvalitet. Disse egenskaber sikrer ensartet ensartethed og renhed i tynde filmlag.

Forbedret med en SiC-belægning forbedrer SiC-waferbakken markant den termiske ledningsevne, hvilket letter hurtig og jævn varmefordeling, som er afgørende for ensartet epitaksial vækst. SiC waferbakkens evne til effektivt at absorbere og udstråle varme opretholder en stabil og ensartet temperatur, der er afgørende for den præcise aflejring af tynde film. Denne ensartede temperaturfordeling er afgørende for at producere epitaksiale lag af høj kvalitet, som er afgørende for ydeevnen af ​​avancerede halvlederenheder.

SiC Wafer Tray's pålidelige ydeevne og levetid reducerer hyppigheden af ​​udskiftninger, hvilket minimerer nedetid og vedligeholdelsesomkostninger. Dens robuste konstruktion og overlegne operationelle muligheder øger proceseffektiviteten og øger derved produktiviteten og omkostningseffektiviteten i halvlederfremstilling.

Derudover udviser Semicorex SiC Wafer Tray fremragende modstandsdygtighed over for oxidation og korrosion ved høje temperaturer, hvilket yderligere sikrer dens holdbarhed og pålidelighed. Dens høje termiske udholdenhed, præget af et betydeligt smeltepunkt, gør den i stand til at modstå de strenge termiske forhold, der er iboende i halvlederfremstillingsprocesser.