MOCVD Planet Susceptor for Halvleder

Semicorex er et pålideligt navn i halvlederindustrien, der leverer højkvalitets MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor. Vores produkt er designet til at opfylde de specifikke behov hos halvlederproducenter, der leder efter en bærer, der kan levere fremragende ydeevne, stabilitet og holdbarhed. Kontakt os i dag for at lære mere om vores produkt, og hvordan vi kan hjælpe dig med dine behov for fremstilling af halvledere.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Vores MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor har høj temperatur oxidationsmodstand, hvilket sikrer dens stabilitet ved høje temperaturer op til 1600°C. Det er også meget rent, fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser, hvilket sikrer ensartethed og konsistens af produktet, ensartet termisk profil og laminært gasstrømningsmønster.
Kontakt os i dag for at lære mere om vores MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor.

Parametre for MOCVD Planet Susceptor for Semiconductor

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funktioner af SiC Coated Graphite Susceptor til MOCVD

- Undgå at skalle af og sørg for belægning på alle overflader
Højtemperaturoxidationsbestandighed: Stabil ved høje temperaturer op til 1600°C
Høj renhed: Fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.
Korrosionsbestandighed: høj hårdhed, tæt overflade og fine partikler.
Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster
- Garanterer ensartethed af termisk profil
- Undgå enhver forurening eller diffusion af urenheder