MOCVD Wafer Carriers til halvlederindustrien

Semicorex MOCVD Wafer Carriers for Semiconductor Industry er en top-of-the-line carrier designet til brug i halvlederindustrien. Dets højrente materiale sikrer en jævn termisk profil og laminært gasstrømningsmønster, hvilket giver højkvalitets wafers.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Vores MOCVD Wafer Carriers til halvlederindustrien er yderst rene, fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsforhold, hvilket sikrer ensartethed og konsistens af produktet. Det er også meget korrosionsbestandigt med en tæt overflade og fine partikler, hvilket gør det modstandsdygtigt over for syre, alkali, salt og organiske reagenser. Dens modstandsdygtighed over for oxidation ved høje temperaturer sikrer stabilitet ved høje temperaturer op til 1600°C.
Kontakt os i dag for at lære mere om vores MOCVD Wafer Carriers til halvlederindustrien.

Parametre for MOCVD Wafer Carriers til halvlederindustrien

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funktioner af SiC Coated Graphite Susceptor til MOCVD

- Undgå at skalle af og sørg for belægning på alle overflader
Højtemperaturoxidationsbestandighed: Stabil ved høje temperaturer op til 1600°C
Høj renhed: Fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.
Korrosionsbestandighed: høj hårdhed, tæt overflade og fine partikler.
Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster
- Garanterer ensartethed af termisk profil
- Undgå enhver forurening eller diffusion af urenheder