Anvendelser af PBN -materiale

Pbn, eller pyrolytisk bornitrid, hører til det hexagonale system og er et avanceret uorganisk ikke-metallisk materiale med en renhed på op til 99.999%. Det har god densitet, ingen porer, god isolering og termisk ledningsevne, høj temperaturresistens, kemisk inertitet, syremodstand, alkali -resistens og oxidationsmodstand. Det har åbenlyst anisotropi i mekaniske, termiske og elektriske egenskaber. Det er en ideel digel- og nøglekomponent i halvlederkrystallvækst (VGF-metode, VB-metode, LEC-metode, HB-metode), polykrystallinsk syntese, MBE-epitaxy, OLED-fordampning, high-end halvlederudstyr, højeffekt mikrobølgerør osv. Under høje temperatur og høje vakuumbetingelser indføres halides og andre råmaterialer med høj renhed og andre råmaterialer i CVD-reaktionskammeret. Efter revnerreaktion vokser det langsomt på overfladen af underlag, såsom grafit. PBN kan dyrkes direkte til containere som crucibles, både og rør, eller det kan først deponeres i plader og derefter behandles i forskellige PBN -dele. Det kan også coates på andre underlag til beskyttelse, og produktspecifikationer tilpasses i henhold til applikationsscenarier. I modsætning til almindelige varmpressede sintrede bornitrid er PBN forberedt ved hjælp af avanceret kemisk dampaflejring (CVD), som har stærke tekniske barrierer og en høj grad af industrikoncentration.

Pbn -produkter spiller en uerstattelig rolle i halvlederfeltet. Nedstrømsanvendelser involverer hovedsageligt krystalvækst, polykrystallinsk syntese, molekylærbjælkepitaxy (MBE), OLED, organisk kemisk dampaflejring (MOCVD), high-end halvlederudstyrsdele, rumfart og andre felter.

1) Krystallvækst

Væksten af sammensatte halvleder -enkeltkrystaller (såsom galliumarsenid, indiumphosphid osv.) Kræver et ekstremt strengt miljø, herunder temperatur, råmateriale renhed og renhed og kemisk inertitet af vækstbeholderen. PBN Crucible er i øjeblikket den mest ideelle beholder til sammensat halvleder enkelt krystalvækst. De vigtigste metoder til sammensat halvleder enkelt krystalvækst er LEC -metode, HB -metode, VB -metode og VGF -metode. De tilsvarende PBN -digler inkluderer Lec Crucible, VB Crucible og VGF Crucible.

2) Molekylær strålepitaxy (MBE)

MBE er en af de vigtigste epitaksiale vækstprocesser af III-V og II-VI halvledere i verden i dag. Denne type teknologi er en metode til dyrkning af tynde film lag for lag langs krystalaksen af substratmaterialet under passende underlag og passende betingelser. PBN Crucible er en nødvendig kildeovnscontainer i MBE -processen.

3) Organisk lysemitterende diodedisplay (OLED)

OLED betragtes som en ny generation af flad paneldisplay-teknologi på grund af dets fremragende egenskaber såsom selvluminescens, intet behov for baggrundsbelysning, høj kontrast, tynd tykkelse, bred synsvinkel, hurtig reaktionshastighed, kan bruges til fleksible paneler, bred driftstemperaturområde, enkel struktur og proces. Fordamperen er kernekomponenten i OLED -fordampningssystemet. Blandt dem er PBN -guide -ring og digel de vigtigste komponenter i fordampningsenheden. Vejledningen skal have god termisk ledningsevne og isoleringsydelse, kan behandles i komplekse former og deform eller frigiver gas ved høje temperaturer. Crucible skal have ultrahøj renhed, høj temperaturresistens, elektrisk isolering og ingen befugtning med kildematerialet. PBN er et ideelt materiale til udbredt brug.

4) High-end halvlederudstyr

Når halvlederchips fortsætter med at udvikle sig mod miniaturisering og høj effekt, bliver kravene til halvlederproduktionsudstyr og systemer højere og højere. PBN-materialeprodukter er vidt brugt i kernekomponenterne i avanceret udstyr på grund af deres ultrahøj renhed, høj termisk ledningsevne, elektrisk isolering, korrosionsbestandighed, oxidationsresistens og forskellige anisotropi af ydeevne.

Semicorex tilbyder høj kvalitetPbn -produkter. Hvis du har nogen forespørgsler eller har brug for yderligere detaljer, så tøv ikke med at komme i kontakt med os.

Kontakt telefon # +86-13567891907

E -mail: sales@semicorex.com