> Nyheder > Industri nyheder

Industri nyheder

Krystalorientering og defekter i siliciumwafers

Den grundlæggende krystalenhedscelle af monokrystallinsk silicium er zinkblandingsstrukturen, hvor hvert siliciumatom binder sig kemisk med fire tilstødende siliciumatomer. Denne struktur findes også i monokrystallinske kulstofdiamanter.

Læs mere

SiC Single Crystal Substrate Processing

Siliciumcarbid (SiC) enkeltkrystaller fremstilles primært ved hjælp af sublimeringsmetoden. Efter at have fjernet krystallen fra diglen, kræves der flere indviklede behandlingstrin for at skabe brugbare wafers.

Læs mere

Introduktion af siliciummateriale

Silicium er det næstmest udbredte grundstof på Jorden efter ilt. Det meste silicium findes i jord, sten, naturligt vand, træer og planter.

Læs mere

Hvorfor er der stigende efterspørgsel efter SiC-keramik med høj termisk ledningsevne i halvlederindustrien?

I øjeblikket er siliciumcarbid (SiC) et meget aktivt forskningsområde inden for termisk ledende keramiske materialer både nationalt og internationalt.

Læs mere

Udglødningsprocesser i moderne halvlederfremstilling

Efterhånden som teknologiknudepunkterne fortsætter med at skrumpe, giver dannelsen af ultra-fladvande krydsninger betydelige udfordringer. Termiske udglødningsprocesser, herunder hurtig termisk udglødning (RTA) og flashlampeudglødning (FLA) er vitale teknikker, der opretholder høje aktiveringshast......

Læs mere

Hvordan er keramiske elektrostatiske patroner faktisk produceret?

I halvlederfremstilling er præcisionen og stabiliteten af ætseprocessen altafgørende. En kritisk faktor for at opnå ætsning af høj kvalitet er at sikre, at wafers er helt fladt på bakken under processen. Enhver afvigelse kan føre til ujævnt ionbombardement, hvilket forårsager uønskede vinkler og v......

Læs mere

<...7 8 9 10 11...29 >