> Nyheder > Industri nyheder

Industri nyheder

4. generations halvledere Gallium Oxide/β-Ga2O3

Den første generation af halvledermaterialer er hovedsageligt repræsenteret af silicium (Si) og germanium (Ge), som begyndte at stige i 1950'erne. Germanium var dominerende i de tidlige dage og blev hovedsageligt brugt i lavspændings-, lavfrekvente, mellemeffekttransistorer og fotodetektorer, men på......

Læs mere

Defektfri epitaksial vækst og mistilpassede dislokationer

Defektfri epitaksial vækst opstår, når et krystalgitter har næsten identiske gitterkonstanter til et andet. Vækst sker, når gittersteder for de to gitter ved grænsefladeregionen er tilnærmelsesvis matchede, hvilket er muligt med en lille gittermismatch (mindre end 0,1%). Denne omtrentlige tilpasning......

Læs mere

Oxidationsproces

Den mest grundlæggende fase af alle processer er oxidationsprocessen. Oxidationsprocessen er at placere siliciumwaferen i en atmosfære af oxidanter såsom oxygen eller vanddamp til højtemperatur varmebehandling (800~1200 ℃), og en kemisk reaktion sker på overfladen af siliciumwaferen for at danne e......

Læs mere

Hvorfor vokser Gllium Nitride (GaN) Epitaxy ikke på et GaN-substrat?

Væksten af GaN-epitaksi på GaN-substrat udgør en unik udfordring på trods af materialets overlegne egenskaber sammenlignet med silicium. GaN-epitaksi tilbyder betydelige fordele med hensyn til båndgab-bredde, termisk ledningsevne og nedbrydning af elektriske felter i forhold til siliciumbaserede m......

Læs mere

Sådan udføres CMP-processen

I processen med fremstilling af siliciumwafer, efter at krystalstaven er skåret i siliciumwafers, skal den poleres og renses for at opnå en enkelt krystal siliciumwafer som et spejl.

Læs mere

Hvad er CMP Process

I halvlederfremstilling bruges fladhed på atomniveau normalt til at beskrive waferens globale fladhed med enheden af nanometer (nm).

Læs mere

<...7 8 9 10 11...22 >