Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr

Du kan være sikker på at købe Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr fra vores fabrik. Halvlederwaferbærere er en væsentlig komponent i MOCVD-udstyr. De bruges til at transportere og beskytte halvlederwafere under fremstillingsprocessen. Semiconductor Wafer Carriers til MOCVD-udstyr er lavet af materialer med høj renhed og er designet til at opretholde integriteten af waferne under forarbejdning.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

vores Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr er en væsentlig komponent i halvlederfremstillingsprocessen. Den er lavet af højrent grafit med siliciumcarbidbelægning ved CVD-metoden og er designet til at rumme flere wafers. Transportøren tilbyder flere fordele, herunder forbedret udbytte, øget produktivitet, reduceret forurening, øget sikkerhed og omkostningseffektivitet. Hvis du leder efter en pålidelig og højkvalitets Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr, er vores produkt den perfekte løsning.
Kontakt os i dag for at lære mere om vores Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr.

Parametre for Semiconductor Wafer Carrier til MOCVD-udstyr

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funktioner af SiC Coated Graphite Susceptor til MOCVD

- Undgå at skalle af og sørg for belægning på alle overflader
Højtemperaturoxidationsbestandighed: Stabil ved høje temperaturer op til 1600°C
Høj renhed: Fremstillet af CVD kemisk dampaflejring under højtemperaturkloreringsbetingelser.
Korrosionsbestandighed: høj hårdhed, tæt overflade og fine partikler.
Korrosionsbestandighed: syre, alkali, salt og organiske reagenser.
- Opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster
- Garanterer ensartethed af termisk profil
- Undgå enhver forurening eller diffusion af urenheder