Sic bærer til ICP

Konstrueret til at imødekomme de kompromisløse krav fra moderne induktivt couPobedPlasma (ICP) ætse- og deponeringsværktøjer, Semicorexsic -coated grafitbærer til ICP leverer en sjælden balance mellem plasma -resilience, termisk præcision og mekanisk stabilitet. I sin kerne ligger et proprietært, lille -bundt grafitsubstrat, hvis krystalorientering er tæt kontrolleret for at producere ekstraordinær anisotropisk opførsel: termisk ledningsevne i planet overgår konventionelle isostatiske kvaliteter, mens gennemgangsstien forbliver bevidst modereret for at undertrykke Wafer -sidder hot spots. Denne retningsbestemte varmeflowhåndtering sikrer, at hver dør på tværs af en 150 mm til 300 mm skive oplever ensartede temperaturramping og stabilitet i stabil tilstand, der direkte oversætter til smalere kritiske dimension (CD) fordelinger og højere enhedsudbytte.

Indpakket omkring denne ultra -pure -grafit er en konform silicium -carbidlag co -deponeret i en høj -temperatur CVD -ovn. SIC -belægningen - kemisk inert op til 2.000 ° C og kan prale af en mikrosporøsitet på mindre end 0,1% - udgør et uigennemtrængeligt skjold mod fluor-, klor- og bromradikaler, der er almindelige i ICP -kemister med høj densitet. Udholdenhedstestning med lang tid i CF₄/O₂, CL₂/BCL₃ og HBR/HE plasmaer har vist erosionshastigheder under 0,3 µmper100 timer, der udvider bærerens levetid langt ud over industriens normer og drastisk reducerer den forebyggende vedligeholdelses nedetid.

Dimensionel præcision er lige så kompromitteret: overfladet med overfladet styres inden for ± 5 um over hele det lommerede område, mens kantekskluderingsfunktioner er lasermaskineret for at beskytte skivens omkreds mod mikro -piling. Stram tolerance kombineret med SIC -belægningens nær -diamond -hårdhed, modstår partikelgenerering under mekanisk klemme og elektrostatisk -chuck -cykling, beskyttelse af sub -10NM -knudeprocesser fra morderdefektforurening. For ICP -reaktorer med høj effekt fremmer bærerens lave elektriske resistivitet (<40 µΩ · m) hurtige RF -jordplanstabilisering, hvilket minimerer svingninger i hylspladsen, der ellers kan erodere fotoresistiske profiler eller inducere mikromaskering.

Hver batch af Semicorex -bærere gennemgår omfattende metrologi - Raman -kortlægning for at verificere grafitkrystallografisk justering, SEM -tværsnit for at bekræfte SIC -lagsintegritet og resterende gasanalyse for at certificere PPM -niveau -urenhedstærskler. Fordi vi insisterer på mikro -lot -produktion (færre end 20 stykker pr. Kørsel), forbliver statistiske processtyringsdiagrammer usædvanligt stramme, hvilket giver os mulighed for at garantere wafer -to -wafer -reproducerbarhed, som massemarkedsleverandører simpelthen ikke kan matche. Brugerdefinerede geometrier, lommedybder og kølekanaler med bagside fås med ledetider så korte som tre uger, hvilket giver OEM'er til udstyr og høje blanding til at optimere kammeropskrifter uden at redesigne hele hardware -stabler.

Ved at forene verdensklasse anisotropisk grafit med en hermetisk sic rustning, giver Semicorex Sic -bæreren til ICP FABS en langvarig, kontaminering -averse og termisk ensartet platform - en, der ikke kun tåler de hårdeste plasmamiljøer, men aktivt forbedrer processen vindues bredde og die -levelegeleval ydeevne. For enhedsproducenter, der stræber mod stadig tættere linjebredder, stejlere profiler og lavere ejerskabsomkostninger, er det det valgte transportør, hvor hver mikron, hver skive og hver times oppetid tæller.