Enkeltkrystal silicium og polykrystallinsk silicium har hver deres egne unikke fordele og anvendelige scenarier. Enkeltkrystal silicium er velegnet til højtydende elektroniske produkter og mikroelektronik på grund af dets fremragende elektriske og mekaniske egenskaber. Polykrystallinsk silicium domi......
Læs mereI processen med waferforberedelse er der to kerneled: det ene er forberedelsen af substratet, og det andet er implementeringen af den epitaksiale proces. Substratet, en wafer omhyggeligt lavet af halvleder-enkeltkrystalmateriale, kan sættes direkte ind i wafer-fremstillingsprocessen som grundlag......
Læs mereSiliciummateriale er et fast materiale med visse elektriske halvlederegenskaber og fysisk stabilitet og giver substratunderstøttelse til den efterfølgende integrerede kredsløbsfremstillingsproces. Det er et nøglemateriale til siliciumbaserede integrerede kredsløb. Mere end 95% af halvlederenheder og......
Læs mereSiliciumcarbidsubstrat er et sammensat halvleder-enkrystalmateriale sammensat af to elementer, kulstof og silicium. Det har karakteristika af stort båndgab, høj termisk ledningsevne, høj kritisk nedbrydningsfeltstyrke og høj elektronmætningsdrifthastighed.
Læs mereInden for siliciumcarbid (SiC) industrikæden har substratleverandører betydelig indflydelse, primært på grund af værdifordeling. SiC-substrater tegner sig for 47% af den samlede værdi, efterfulgt af epitaksiale lag ved 23%, mens enhedsdesign og fremstilling udgør de resterende 30%. Denne omvendte væ......
Læs mere