SiC ICP plade

Semicorex SiC ICP-plade er en avanceret halvlederkomponent, der er specielt udviklet til at opfylde de strenge krav fra moderne halvlederfremstillingsprocesser. Dette højtydende produkt er designet med den nyeste siliciumcarbid (SiC) materialeteknologi, der tilbyder uovertruffen holdbarhed, effektivitet og pålidelighed, hvilket gør det til en væsentlig komponent i fremstillingen af banebrydende halvlederenheder. Semicorex er forpligtet til at levere kvalitetsprodukter til konkurrencedygtige priser, vi ser frem til at blive din langsigtede partner i Kina*.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Semicorex SiC ICP-plade er lavet af siliciumcarbid, kendt for dets exceptionelle fysiske og kemiske egenskaber. Dens robuste natur sikrer overlegen modstandsdygtighed over for termisk chok, oxidation og korrosion, som er kritiske faktorer i de barske miljøer af halvlederbehandling. Brugen af SiC-materiale øger pladens levetid markant, hvilket reducerer hyppigheden af udskiftninger og dermed sænker vedligeholdelsesomkostninger og nedetid i produktionsfaciliteter.

SiC ICP-pladen spiller en afgørende rolle i plasmaætsnings- og aflejringsprocesserne, som er grundlæggende for skabelsen af halvlederwafere. Under disse processer sikrer SiC ICP-pladens høje termiske ledningsevne og stabilitet præcis temperaturkontrol og ensartet fordeling af plasma, hvilket er afgørende for at opnå ensartede og nøjagtige ætsnings- og aflejringsresultater. Denne præcision er kritisk i produktionen af stadig mere miniaturiserede og komplekse halvlederenheder, hvor selv mindre afvigelser kan føre til betydelige ydeevneproblemer.

En af de iøjnefaldende egenskaber ved SiC ICP-pladen er dens exceptionelle mekaniske styrke. Siliciumcarbids iboende hårdhed og stivhed giver fremragende strukturel integritet, selv under ekstreme forhold. Denne robusthed oversættes til en mere stabil og pålidelig ydeevne under højintensive plasmaprocesser, hvilket minimerer risikoen for komponentfejl og sikrer kontinuerlig, uafbrudt drift. Desuden bidrager materialets lette natur sammenlignet med traditionelle metalmodstykker til lettere håndtering og installation, hvilket yderligere forbedrer driftseffektiviteten.

Ud over sine fysiske egenskaber tilbyder SiC ICP-pladen fremragende kemisk stabilitet. Det udviser bemærkelsesværdig modstand mod reaktive plasmaarter, som er fremherskende i miljøer med halvlederætsning og aflejring. Denne modstand sikrer, at pladen bevarer sin integritet og ydeevne over længere perioder, selv ved tilstedeværelse af aggressive kemikalier, der anvendes i plasmaprocesser. Som følge heraf giver SiC ICP-pladen et renere procesmiljø, hvilket reducerer sandsynligheden for kontaminering og defekter i halvlederwafere.