SiC lodrette både

Semicorex SiC Vertical Boats er konstruerede waferbærere, designet og fremstillet til at give den højeste termiske, mekaniske og kemiske stabilitet til vertikal ovnhalvlederbehandling. Konstrueret af høj renhedsiliciumcarbid, mener vi, at de er den bedste balance mellem styrke, holdbarhed og renhed til meget avanceret termisk waferbehandling, noteret som oxidation, diffusion, LPCVD og udglødning i vertikale ovnsystemer.

De vertikale ovnbehandlingsmiljøer kræver et wafer-understøtningssystem, der kan modstå gentagne eksponeringer ved høje temperaturer, ofte over 1.200°C, og forbliver dimensionsstabile uden kontamineringsproblemer. SiC Vertical Boats udmærker sig i deres robusthed i disse situationer på grund af de iboende mekaniske og termiske egenskaber af rekrystalliseret eller CVD siliciumcarbid. Deres ekstremt lave termiske udvidelseskoefficient sikrer minimal vridning eller forvrængning på grund af hurtig termisk cyklus. Derudover giver den høje termiske ledningsevne den største lokale temperaturhomogenitet på tværs af alle wafere, hvilket er afgørende for wafer-til-wafer-konsistens i lagtykkelse, dopingprofiler og elektrisk ydeevne; vigtige aspekter af højvolumenfremstilling i halvlederindustrien.

Sammenlignet med traditionelle kvartsbåde leverer SiC Vertical Boats overlegen mekanisk styrke og forlænget levetid. Kvarts har en tendens til at blive skør og afglasses over tid, især i aggressive ovnkemi, hvilket fører til højere udskiftningsomkostninger og potentielle produktionsafbrydelser. I modsætning hertil bevarer siliciumcarbid sin integritet selv efter længere tids udsættelse for ætsende gasser såsom klor, HCl eller ammoniak, som er almindelige i forskellige diffusions- og LPCVD-processer. Dens enestående slid- og oxidationsbestandighed reducerer kraftigt partikeldannelsen og hjælper med at beskytte waferoverflader mod forurening og defektdannelse.

SiC Vertical Boats tilbyder også en betydelig fordel med hensyn til ultra-ren forarbejdning. SiC-materiale med høj renhed behandles under streng omhu for at reducere identificerbare sporforurenende metaller, der kan forstyrre de operationelle egenskaber af halvlederenheder. SiC Vertical Boat-overflader er velbearbejdede med retvinklede funktioner, der minimerer risikoen for, at mikropartikler udskilles. SiC-overflader er kemisk inerte og reagerer ikke med procesgasser og er derfor mindre tilbøjelige til forurening. I denne henseende er SiC Vertical Boats velegnede til front end of line (FEOL) og back end of line (BEOL) waferbehandlingsoperationer.

SiC Vertical Boats tilbyder også designfleksibilitet. Hver lodret båd kan være designspecifik til at rumme flere waferdiametre (150 mm, 200 mm eller 300 mm wafers), og spaltenummer og mellemrum kan bruges til at opfylde proceskravene. Præcisionsbearbejdning og dimensionskontrol muliggør korrekt wafer-justering og wafer-understøttelse, hvilket minimerer sandsynligheden for eventuelle mikroridser eller spændingsrevner under lastning, behandling og aflæsning. Også, hvis overlegen temperaturensartethed og/eller mindre termisk masse kræves til en bestemt proces, kan optimerede geometrier og spaltedesign inkorporeres i SiC Vertical Boat-konfigurationer uden at ofre nogen mekaniske egenskaber.

En anden fordel er vedligeholdelse og driftseffektivitet. Den stive konstruktion afSiCVertical Boats reducerer udskiftningstiden og -frekvensen og minimerer derved nedetid eller ejeromkostninger. SiC-resistensen mod termisk stød giver mulighed for kortere opvarmnings- og afkølingscyklusser for at levere højere gennemstrømning på produktionslinjer. Vedligeholdelse eller rengøring af SiC vertikale både er også meget enkel; materialet kan tåle de fleste konventionelle våd- eller tørrensningsprocesser, der er almindelige i halvlederfabrikater, såsom kemisk rensning med syrer og højtemperatur-bage-out.

I denne moderne tidsalder med sofistikeret halvlederfremstilling, hvor udbytteforbedringer, kontamineringskontrol og stabilitet i processen har stor betydning, tilbyder SiC Vertical Boats en sand teknologisk fordel. De håndterer godt de fysiske og kemiske udfordringer ved vertikale ovnanvendelser og bidrager til overordnet procesoptimering ved at levere wafer-integritet, ensartede resultater og længere levetid for udstyret.