Siliciumcarbid ICP ætsningsplade

Siliciumcarbid ICP ætsningspladeer kompetent til at levere stabil støtte og præcis positionering af wafere i ætsningsoperationerne, hvilket effektivt forhindrer reduktioner i ætsningspræcision forårsaget af vibrationer eller forskydning.

Siliciumcarbid ICP-ætsningsplade har varmestyringsevner. Overlegen varmeledningsevne afSIC keramikgiver Silicon Carbide ICP Etching Plate evnen til hurtigt at sprede varme, hvilket er med til at forhindre lokal overophedning af emnet og sikre ensartetheden af ​​ætsetemperaturen og derved forbedre ætsningskvaliteten. SiC-keramik har en lav termisk udvidelseskoefficient, hvilket gør det muligt for siliciumcarbid ICP-ætsningspladen at opretholde god dimensionsstabilitet og reducere forskydning eller deformation af emnet forårsaget af termisk udvidelse.

Siliciumcarbid ICP ætsningsplade, der stoler på dens fremragende hårdheds- og styrkeegenskaber, viser evnen til at tolerere den mekaniske belastning og plasmapåvirkning, der opstår under ætseprocessen med minimal deformation eller beskadigelse. Denne evne forbedrer effektivt udbyttet og produktionseffektiviteten af ​​halvlederenheder.

ICP-operativmiljøet kræver renlighed på halvlederniveau. Semicorex’ ICP-ætsningsplade af siliciumcarbid kan fuldt ud opfylde dette krav og levere enestående modstandsdygtighed over for de kemiske gasser (såsom klor og fluor) og plasma i ICP-ætsningsmiljøer. Denne væsentlige egenskab holder procesmiljøet rent ved at reducere mængden af ​​forurenende stoffer, der frigives under ætsningsoperationer.

Semicorex prioriterer brugervenlighed og tilbyder skræddersyede designs af siliciumcarbid ICP-ætsningsplade, der problemfrit integreres med eksisterende ICP-ætsningssystemer og er kompatible med forskellige konfigurationer. Dette giver mulighed for en glidende overgang, hvilket gør det til en ideel opgraderingsløsning for udstyrsproducenter.