Liquid Phase Epitaxy (LPE) reaktorsystem

Semicorex Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System er et innovativt produkt, der tilbyder fremragende termisk ydeevne, jævn termisk profil og overlegen belægningsvedhæftning. Dens høje renhed, oxidationsbestandighed ved høje temperaturer og korrosionsbestandighed gør den til et ideelt valg til brug i halvlederindustrien. Dens tilpasningsmuligheder og omkostningseffektivitet gør det til et yderst konkurrencedygtigt produkt på markedet.

Send forespørgsel

Produkt beskrivelse

Vores Liquid Phase Epitaxy (LPE) Reactor System er et yderst pålideligt og holdbart produkt, der giver fremragende værdi for pengene. Dens modstandsdygtighed over for oxidation ved høje temperaturer, jævne termiske profil og forebyggelse af kontaminering gør den ideel til vækst af epitaksialt lag af høj kvalitet. Dens lave vedligeholdelseskrav og tilpasningsmuligheder gør det til et yderst konkurrencedygtigt produkt på markedet.

Hos Semicorex fokuserer vi på at levere omkostningseffektive produkter af høj kvalitet til vores kunder. Vores Liquid Phase Epitaxy (LPE) reaktorsystem har en prisfordel og eksporteres til mange europæiske og amerikanske markeder. Vi sigter efter at være din langsigtede partner, der leverer ensartede kvalitetsprodukter og enestående kundeservice.

Kontakt os i dag for at lære mere om vores Liquid Phase Epitaxy (LPE) reaktorsystem.

Parametre for Liquid Phase Epitaxy (LPE) reaktorsystem

Hovedspecifikationer for CVD-SIC belægning
SiC-CVD egenskaber
Krystal struktur	FCC β-fase
Tæthed	g/cm³	3.21
Hårdhed	Vickers hårdhed	2500
Kornstørrelse	μm	2~10
Kemisk renhed	%	99.99995
Varmekapacitet	J·kg-1 ·K-1	640
Sublimeringstemperatur	℃	2700
Feleksural styrke	MPa (RT 4-punkts)	415
Youngs modul	Gpa (4pt bøjning, 1300 ℃)	430
Termisk udvidelse (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Termisk ledningsevne	(W/mK)	300

Funktioner af Liquid Phase Epitaxy (LPE) reaktorsystem

- Både grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget har god densitet og kan spille en god beskyttende rolle i høje temperaturer og korrosive arbejdsmiljøer.

- Siliciumcarbidbelagt susceptor, der bruges til enkeltkrystalvækst, har en meget høj overfladeplanhed.

- Reducer forskellen i termisk udvidelseskoefficient mellem grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for at forhindre revner og delaminering.

- Både grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget har en høj varmeledningsevne og fremragende varmefordelingsegenskaber.

- Højt smeltepunkt, høj temperatur oxidationsbestandighed, korrosionsbestandighed.