SiC Coated Grafit Barrel Susceptor

Semicorex SiC Coated Graphite Barrel Susceptor er det perfekte valg til halvlederfremstillingsapplikationer, der kræver enestående varmefordeling og termisk ledningsevne. Dens højrente SiC-belægning og overlegne tæthed giver overlegen beskyttelse og varmefordelingsegenskaber, hvilket sikrer pålidelig og ensartet ydeevne i selv de mest udfordrende miljøer.

Vores SiC Coated Graphite Barrel Susceptor er designet til at opnå det bedste laminære gasstrømningsmønster, hvilket sikrer ensartet termisk profil. Dette hjælper med at forhindre enhver forurening eller diffusion af urenheder, hvilket sikrer epitaksial vækst af høj kvalitet på wafer-chippen.

Kontakt os i dag for at lære mere om vores SiC Coated Graphite Barrel Susceptor.

Parametre for SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

Funktioner af SiC Coated Graphite Barrel Susceptor

- Både grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget har god densitet og kan spille en god beskyttende rolle i høje temperaturer og korrosive arbejdsmiljøer.

- Siliciumcarbidbelagt susceptor, der bruges til enkeltkrystalvækst, har en meget høj overfladeplanhed.

- Reducer forskellen i termisk udvidelseskoefficient mellem grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget, forbedrer effektivt bindingsstyrken for at forhindre revner og delaminering.

- Både grafitsubstratet og siliciumcarbidlaget har en høj varmeledningsevne og fremragende varmefordelingsegenskaber.

- Højt smeltepunkt, høj temperatur oxidationsbestandighed, korrosionsbestandighed.